国产存储芯片龙头长鑫科技第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。
10月30日，长鑫科技（688825.SH）在第三季度业绩交流会中透露，在4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。此前长鑫曾在学术论坛上介绍4F²架构进展，此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F²架构。
按照产业实践，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，在客户端完成验证后可进入规模量产阶段。此前长鑫在公开演讲中表示，预计年底将面向应用难度最高的领域之一的服务器领域，推出融合4F²先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
就公开披露的进度而言，长鑫在4F²工程化推进上处于全球前列：三星、SK海力士均已将4F² 列为10nm级以下的关键方向，长鑫率先完成了工程样片验证；如后续进展顺利，长鑫有望成为全球首个落地4F²的企业。
4F²被视为破解DRAM单元微缩瓶颈、迈向3D DRAM的关键路径。DRAM技术演进始终围绕密度提升——在同样大小的晶圆上集成更多单元，摊薄单位比特成本。但进入10nm级后，原有6F²已难以为继，逼近物理极限。IEEE 国际器件与系统路线图（IRDS）明确指出：当半间距微缩日趋困难时，“从6F²向4F²单元的转型是维持成本趋势最有前景的路径”。
4F²单元面积为2F×2F（F为光刻技术可实现的最小线宽或间距），约为主流6F²单元的三分之二，已成为全球主要存储厂商的共同选择。SK海力士已将4F²垂直栅（VG）平台与3D DRAM并列为两大技术支柱，三星在ISSCC 2026发表10nm级4F²论文，其CTO今年10月公开确认也在研发；业内亦视4F²为通往3D DRAM的必经阶段。
据了解，长鑫4F² 架构的核心是自研VSG（Vertical Surrounding Gate，垂直包围栅）晶体管。其垂直包围沟道结构栅控更强，可缓解短沟道效应与漏电；架构层面，该方案将DRAM与CMOS的制造工艺解耦，再通过晶圆级混合键合实现高速互联，使逻辑性能与存储密度、可靠性得以分别优化。
长鑫4F² 架构的首代产品定为DDR5 RDIMM，面向落地难度最高的服务器市场。与消费级内存追求“跑得快”不同，服务器内存追求“一直跑、不出错、在哪里都能跑”：必须支持7×24小时不间断运行、经受带电热插拔的电压冲击，与不同厂商、不同代际的CPU和主板完成数百项兼容性测试，并确保高速信号在较长的模组走线上不衰减、不误码。
长鑫科技管理层在业绩交流会上表示，4F²架构是公司面向下一代前瞻技术的重要布局。时间节点上，预计今年年底公司会将采用 4F²架构的首代 DDR5 RDIMM 产品送样，应用方向上，会优先落地服务器等高附加值、对密度要求高的产品，后续逐步向其他品类延伸。规模量产会根据客户验证进度、市场需求情况稳步推进。
“对于4F²架构，业内一直存在多维度的探讨。从物理规律来看，DRAM 位密度的提升确实是一个复杂的系统工程，涉及字线、位线以及电容结构的多重空间博弈。”长鑫科技管理层表示，不同的存储厂商基于自身的历史技术积累、现有产线配置、专利布局以及未来几年的资本开支结构，往往会做出差异化的战略选择，都是值得理解和尊重的。
长鑫在技术研发领域持续保持高强度投入：自成立起即启动4F²的研究与专利布局，公开专利族超300件；自2019年起自研混合键合技术，专利数量位居全球前十。2026 年前三季度，公司营业收入研发投入110.71亿元，同比增长约73.03%。
在当天的业绩会上，长鑫科技管理层还表示，目前公司已与多家头部客户协商长期供货协议，从而锁定中长期确定性需求。在供求延续紧缺与精益制造的双重支撑下，公司预计第四季度毛利率将继续保持稳定。
长信科技总裁曹堪宇在业绩交流会上表示，受AI应用快速发展带动，四季度服务器客户需求仍然强劲，DRAM供不应求态势预计持续，公司营收将继续增长。展望2027年，AI、智能终端和汽车智能化需求仍被视为主要增长来源。
长鑫科技公司今年前三季度业绩大幅增长，实现营业收入2690.24亿元，同比增长738.51%；归属于上市公司股东的净利润1320.40亿元，上年同期为亏损52.80亿元，实现扭亏为盈。
（文章来源：澎湃新闻）
